5月6日，全球存储板块掀起新一轮涨势，多家龙头公司股价齐创历史新高。韩国存储双雄SK海力士、三星电子续创历史新高；A股市场中，江波龙、佰维存储、兆易创新等存储板块龙头同步刷新历史高点。隔夜美股市场，美光科技、闪迪、西部数据同样于5月5日刷新历史高点。
机构人士认为，在AI算力需求持续爆发下，存储芯片行业“超级周期”的强度和持续性可观，存储板块的强势行情有望延续。
存储板块强势领涨
5月6日，A股迎来5月首个交易日，存储板块强势领涨。截至收盘，江波龙、兆易创新涨停，佰维存储大涨17.37%，均创历史新高；香农芯创大涨11.43%，盘中一度逼近历史新高。
亚太市场中，韩国综合指数（KOSPI）5月6日大涨6.45%，韩国存储龙头表现同样强劲。截至收盘，SK海力士、三星电子分别上涨10.64%、14.41%，双双创历史新高。
近期，存储厂商业绩披露后市场情绪持续发酵。A股方面，江波龙2026年一季度净利润为38.62亿元，同比增长2644.05%；兆易创新一季度净利润为14.61亿元，同比增长522.79%；佰维存储一季度净利润为28.99亿元，同比增长1567.85%。
国际方面，三星电子一季度营业利润同比增长474.3%，SK海力士同期单季净利润同比增长398%。
花旗预计2026年DRAM平均售价上涨88%，NAND闪存平均售价上涨74%。第三方调研机构TrendForce集邦咨询发布的最新调查显示，2026年第二季度通用型DRAM合约价格预计环比上涨58%至63%，NAND闪存合约价格环比涨幅高达70%至75%。
AI算力需求持续释放
区别于历史上数轮周期，本轮存储芯片“超级周期”主要由AI算力基础设施建设驱动。TrendForce数据显示，2026年全球生产的内存中高达70%将被数据中心消耗，预计到2028年的产能已被预订。
从需求端来看，Meta、谷歌、微软等全球科技巨头近期披露的财报纷纷继续上调AI资本开支预期。美银证券预计2026年全球超大规模云计算商资本开支将超过8000亿美元。
从供给端来看，三星电子、SK海力士等原厂商大部分先进产能优先转向HBM、DDR5、企业级SSD等高毛利产品，通用型DRAM和消费级NAND产能被显著挤压。三星电子在此前的电话会议上称，近期通用型DRAM的价格出现上涨，其盈利能力确实比HBM更高，但不会因此而大幅调整生产结构。同时，HBM4的差异化性能已经吸引了大量客户，公司为HBM4预留的全部产能均已售罄。SK海力士同样表示，其DRAM和NAND库存已降至仅相当于约4周出货量的极低水平，2026年HBM产能已全部售罄。
景气有望延续
展望后市，多家机构认为，本轮存储“超级周期”的强度和持续性有望显著超越上一轮周期。
交银国际研究认为，当前全球存储芯片行业正经历本世纪以来最强劲的上行周期，周期强度高于此前几轮上行周期，上行周期至少将持续至2027年第一季度。行业经过长期整合后，供给端高度集中，叠加AI带来的结构性需求增量，使得本轮周期的持续性和强度均显著超越以往。
国泰海通证券认为，存储供需失衡持续支撑价格上行。尽管现货市场价格出现局部波动，但行业景气度维持韧性。当前原厂持续将产能向AI服务器相关产品倾斜，虽然部分消费类终端需求面临下修风险，但由于供给受产能分配制约，价格有望延续上行。
该机构判断，当前时点仍处于本轮上行周期中段，主要存储厂商在2027年上半年前的有效产能增量有限，各细分品类的合约价格仍有上涨空间；叠加CSP（云计算服务提供商）通过长期协议锁定供应，原厂的定价权进一步增强，为盈利增长提供有力支撑。存储板块核心交易逻辑正从价格上涨预期转向对盈利增长持续性的兑现情况验证。
展望未来投资方向，中信证券认为，一季报业绩在“存储及其他涨价、AI及算力”方向仍然乐观；从基本面角度来看，半导体设备、国产算力上行趋势确定，同时全球AI趋势下的PCB及存储板块基本面持续强劲。二季度AI行情有望开始扩散，建议投资者关注从传统业务转向AI业务的相关公司，如被动元件、消费电子相关细分板块的变化。
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